S參數歸一化“對話討論聊天記錄【轉載】
2016-11-07 by:CAE仿真在線 來源:互聯網
作者:李可舟、andyton、Colin_consin、若華蔣方、DI牛迪、于爭博士、巔峰搬磚、吳楓、liyy李勇堯、莊哲民、Dennis丁同浩、benjaminPU三星、LXK
本文轉載自:微信群"SI-list 中國【2】"聊天記錄如下:
————— 2016-1-22 —————
李可舟 下午5:17
關于hfss的Port的第三部分S參數打我歸一化,我提一個問題請大家討論.
李可舟 下午5:21
如果waveport的特征阻抗是頻變的人,且不等于50歐姆,那么如果結果歸一化到50歐姆了,那么也就是和端口阻抗并不匹配了.那么此時得到的那條曲線是否還滿足S參數必須是在匹配條件下測量的前提條件,即這個時候得到的曲線還是不是S參數?
李黎明 下午5:25
@李可舟?是s參數,與實際相差不大,阻抗隨頻率變化不大.
andyton 下午5:27
waveport一般是波導,rf線等,阻抗與頻率無關
李可舟 下午5:32
頻變是為了讓討論有普適性些,即使是固定的也可以提出類似問題.一段微帶線,特征阻抗100歐姆,那么如果將仿真仿真得到的S參數歸一化到50歐姆,是否違背了S參數必須是基于匹配條件下測量的定義?
李可舟 下午5:34
50歐姆和100歐姆差別可是很大的了,不可忽略了
Colin 下午5:43
基于匹配條件的s參數是什么意思?
Colin 下午5:47
散射參數構成是復數形式的矩陣,除以50還是除以100不改變其本來的值,只是為了歸一化后減少運算量分析方便而已。如果你的系統是50則用50
李可舟 下午5:47
就是教科書里的S參數的定義,是匹配條件下測得的入射波和反射波來比
李可舟 下午5:47
如果不滿足匹配條件,那么此時測得的反射波和入射波的比值就不是S參數
李可舟 下午5:49
問題是這個歸一化阻抗改變在現實中就是對應測量時匹配阻抗值的變化
Colin 下午5:54
我覺得你把有損系統的反射系數和s參數搞混了
Colin 下午5:56
s參數是不需要匹配的,測量系統也只要校準掉測試鏈接部分的影響。
藍調 下午5:56
謝謝
藍調 下午5:57
晚上詳細拜讀下[呲牙]
李可舟 下午6:00
S參數肯定是需要匹配條件下來測試的,這個不會錯,當然可能這個定義太基礎了,所以大家都沒有關注而已
Colin 下午6:02
。。。
Colin 下午6:03
既然匹配了,還有反射嗎???
misskenzo 下午6:05
Eric書里面第十二章詳細講了s參數,包括這個問題
李可舟 下午6:08
反射還是有的,端口2匹配,但是從端口1看進去還是可以有反射
若華 下午6:10
@andyton?這個網上找找 專業的非專業的一大把
若華 下午6:10
@李可舟?s參數只是測量的一種衡量指標而已。阻抗匹配與否都能測得s參數,只是圖不同而已
Colin 下午6:11
那么如果2端口不匹配,s參數就不存在了咯[流汗]
Colin 下午6:14
端口50并非是匹配的條件,而是端口的阻抗,如果一定要一端匹配,那3端口,n端口你怎么辦?
Colin 下午6:18
同樣的,你端口100也能測試出s參數,和端口50在數學矩陣上是相等的,只是歸一化后就不同了。s參數代表的是你傳輸系統的被動特性。主動特性的s參數也有,那叫load pull,也不是單純的匹配
zhong 下午6:18
這個匹配應該是指的負載匹配 也就是你的負載50歐姆 就要50歐姆參考去看s參數體現的反射等特性
李可舟 下午6:40
我提的這個問題過去曾百思不得其解,即使是Eric那本書,也沒有把我講明白.后來想了好久,覺得總算找到正確的理解了
李可舟 下午6:42
問題的關鍵在匹配的理解上,S參數的匹配不是說匹配負載要和被測器件匹配,而是說匹配負載要和測試用的輔助線纜的特征阻抗匹配
李可舟 下午6:43
因此完全和被測試器件自身的阻抗無關,所以無論我們把它歸一化到多少歐姆,都是滿足S參數的匹配定義的
Sandy 下午7:07
@李可舟?S參數定義里的匹配應該是個動作,而不是結果。阻抗不匹配一樣可以測量
andyton 下午8:39
嚴格的阻抗分兩部,共惡去容感,阻抗變換到50歐。
Di 下午8:41
我贊同@Colin?。a/10和a/100的結果肯定不同,但是a都一樣
于爭 下午9:48
基于匹配條件下測量S參數是什么意思?
于爭 下午9:49
不可實現
巔峰搬磚 下午9:49
s.參數可以看出匹配情況
巔峰搬磚 下午9:49
貌似沒有說匹配情況測s參數吧
于爭 下午9:53
@巔峰搬磚?看到前面有人說這個,所以好奇這種說法來源是哪!
巔峰搬磚 下午9:59
他的意思是在其他端口匹配的情況下測試某兩個端口之間的匹配情況
巔峰搬磚 下午9:59
測試兩個端口的s參數,,
Di 下午10:02
我猜@李可舟?的意思是測量的端口阻抗要和傳輸線的阻抗匹配
李可舟 下午10:10
@Di?就是這個意思
Di 下午10:26
@李可舟?這個和仿真時的port阻抗是一個道理。都是用來歸一化的參考值,對傳輸線的實際s參數沒有影響
Di 下午10:27
李可舟 下午10:28
看來你說的不是我的問題
Di 下午10:28
圖中的an=V/sqrt(z0),
李可舟 下午10:29
我討論的是S參數的定義中的匹配
李可舟 下午10:30
匹配的含義
Di 下午10:30
你把s參數定義打出來我看看
Di 下午10:31
我發的圖片是電磁場中對s參數的解釋
李可舟 下午10:33
你的圖片沒有錯
李可舟 下午10:33
只是里面少寫了一句,那個入射波和反射波的測量條件
Di 下午10:35
了解。你是說,如果端口不匹配,導致測量的值就不準確,自然算出來的值也就不準確
李可舟 下午10:35
比較嚴謹的書本上是這么寫的,S參數是當其他端口接匹配負載時,得到的反射波和入射波的比值.入射波和反射波的表達式就是你圖片里發的那個
Di 下午10:38
好的,我再細看一遍,然后再交流
Di 下午10:38
這個問題挺有意思!!
Di 下午10:39
之前沒有細想過
李可舟 下午10:40
好,我過去也被這個問題困惑過,后來想出來一個我認為最合理的解釋,之前也發過了
李可舟 下午10:40
你看看是不是合理的
吳楓 下午10:58
@李可舟?首先可以確認你提到的定義是對的,s參數的測量條件是基于一定的端口阻抗的。可以把實測過程簡化一下,也就是s參數(未歸一化之前)的端口阻抗簡化成測試電纜的阻抗,這個阻抗是頻變的,但通常不劇烈。比如'HFSS仿真的時候的,我們加入波導端口。歸一化前,每個頻點的結果是基于波導端口的阻抗的仿真結果,波導端口的阻抗雖然頻變但不通常不劇烈。但是在這一簡化模型中,把電纜或者饋電結構建模成了均勻傳輸線。這在實測中是不存在的。vna的電纜和各個連接頭都不是均勻傳輸線。反射的存在可能產生諧振(很劇烈的頻變)也就是說雖然實測中每個頻點的結果依然是依賴于端口阻抗的,但是這個端口阻抗是劇烈頻變的,不能簡單的認為端口阻抗等于cable的阻抗,vna校準過程就是提取這樣的參數,然后在后處理當中,把劇烈頻變的端口阻抗歸一成50ohm的
吳楓 下午11:04
vna轉換過程中有信噪比的要求,也就是饋電結構不能偏離被測dut太遠。好比hfss仿真一個50ohm傳輸線,你不能加一個z=0.001的端口來仿真它。這一要求會讓人誤以為端口阻抗應該等于(匹配)dut的阻抗,也就很多人的誤解。
吳楓 下午11:09
簡而言之,s參數的端口阻抗等于饋電結構的阻抗,簡化模型中或者仿真中,可以等于cable的特征阻抗;端口阻抗應該接近dut的阻抗,等不要求嚴格等于或者匹配dut的阻抗;至于歸一化的目的,大家討論過很多了,因為同樣的dut可以有不同的饋電結構,造成同樣的dut的結果不同,為了便于使用要歸一到同樣的端口阻抗上,好比大家都在用理想不頻變的50ohm饋電結構在測試dut,雖然這在實測和仿真當中都不存在
吳楓 下午11:15
如果較真的話,入射端口和出射端口的處理還是少許不一樣的。具體可以和安捷倫的ae討論一下。
吳楓 下午11:20
如果非要說s參數需要端口匹配阻抗,實際上匹配的是饋電結構而非dut,雖然為了信噪比,饋電結構的阻抗應該接近dut。
李可舟 下午11:21
@吳楓?你說的對,我有一點不明,現在vna測試線纜還不是均勻傳輸線,現在的生產工藝還無法做到阻抗均勻這點么?
李可舟 下午11:21
還是說反正可以校準掉.那么就不用做那么均勻,反而提高生產成本了?
李可舟 下午11:22
免得提高生產成本
李可舟 下午11:24
@吳楓?用仿真軟件也需要考慮那個信噪比的問題,不過動態范圍要大得多
吳楓 下午11:29
@李可舟?同樣,仿真的噪聲是數值誤差,vna的噪底是固有誤差和熱噪聲。不在一個量級上
吳楓 下午11:36
@李可舟?測試電纜你可以測測,頻響并不平攤。要命的是電纜是可彎曲的,我對測試電纜的理解是,他的可重復性或者可靠性是第一位的,不能電纜彎曲一下頻響就變掉了或者阻抗偏掉了,這一誤差是無法校準掉的。阻抗少許不均勻會影響高頻精度,這還是因為高頻信號衰減較大,要保證信噪比,必須減少饋電結構的高頻頻響不平坦
吳楓 下午11:37
有時候柔性和平坦度是矛盾的,所以大部分高頻電纜都很硬
吳楓 下午11:40
此外饋電結構的頻響不穩定,不是因為cable,而是因為連接頭
吳楓 下午11:41
或者說連接器更值得關注
李可舟 下午11:51
@吳楓?[強]
————— 2016-1-23 —————
李yongyao 上午9:22
S參數是個很有意思的概念,用處很多,也非常容易讓人困惑。@吳楓?@Colin?@link?給出了很好的解答,說的也很全面。但每個人因為各自的專業背景和工作經歷不同,理解起來會有點困難,尤其是對于還沒把這個事情完全想透的同行。我嘗試用另外一種角度來解釋一下,希望能有幫助。也歡迎大家多探討。
李yongyao 上午9:37
S參數早期主要是用在射頻微波領域的,大家對射頻微波電路部件的要求一般是在關心的頻帶內插損小、回損小(為簡化問題,這里先不談隔離度的問題)。通常射頻微波電路有很多部件,或者叫很多級,在某個部件的input向接收機看過去的時候,反射指標是后面一堆部件打包的單端口的特性,無法有效的指出是哪個部件特性不好影響了這個總體的反射指標,也不知道優化哪個部件最有效。
李yongyao 上午9:45
因為各個部件之間一般用同軸線或帶狀線互連,而同軸線或帶狀線阻抗一般是相對固定的(比如50歐姆),就可以把每個部件端口特性都和50歐姆來進行匹配,這樣就很容易衡量哪個部件的端口回損(或反射)指標比較差了。從而將各個部件解藕,分別進行設計優化(或匹配網絡優化)。
李yongyao 上午9:58
換句話說,對某個部件的input,衡量它的反射指標好壞的時候,我們不希望它的輸出端口之后的部件影響我們的觀測結果,也就是希望它的輸出端口阻抗是匹配的。回到S參數,對于一個雙端口部件來說,輸出端口阻抗匹配的時候,input端口的S11就和反射系數對應起來了,分析也就很方便了。
李黎明 上午10:00
@liyy?多謝分享
李yongyao 上午10:02
現在新的問題來了,有個板子的帶狀線阻抗只能設計成45歐姆,要衡量剛才那個部件的反射是否還能接受,就把S參數的input端口阻抗歸一化到45歐姆來看S11就好了。
Di 上午10:19
這個問題還是要從電磁場的理論分析
Di 上午10:20
我回頭寫篇文章,從基礎開始分析s參數是怎么一步步得來的。
墨曉顏 上午10:20
靜候
李黎明 上午10:21
@Di?期待
misskenzo 上午10:21
@范佳萌?期待
Sandy 上午10:21
期待!
李yongyao 上午10:32
@Di?從電磁場角度解釋起來比較困難,期待你的文章
李yongyao 上午10:35
@李可舟?教科書里的S參數的定義,是匹配條件下測得的入射波和反射波來比,這個書法是沒錯的。前面我啰嗦了半天,大家都理順了的話,這個問題就比較好解釋了
李yongyao 上午10:46
對一個二端口的射頻部件來說,S11的定義是在2端口匹配的條件下測的的入射波和反射波來比。對于反射波來說,必須是該部件導致的。換句話說,2端口后面的任何部件導致的反射波都不應該計算進來,否則這個S11就不是該部件的S11了(或者說里邊引入了測量誤差),需要通過測試校準或數學后處理來進行修正
李可舟 上午10:46
@liyy?是的,定義是不會錯的。容易錯的是對匹配的理解,前面吳楓的解釋已經很完美了。我來總結下,理論上講,匹配僅是指端接負載需要等于測試饋電線纜的特征阻抗,和被測器件無關,因此我們可以將S參數歸一化到任意阻抗,其物理意義就是我們可以使用任意特征阻抗的饋電線纜對器件進行S參數測試。但是在實際測量過程中,由于儀器對信噪比有要求,因此饋電線纜的特征阻抗不能和被測器件差距太大。(這里是指有若干數量級的差距)
李yongyao 上午10:56
@李可舟?[強]
巔峰搬磚 上午11:46
都是用50
巔峰搬磚 上午11:47
器件輸出端口大都是50,所以測試也要用50
soldermask 下午12:22
巔峰搬磚 這名字很牛
于爭 下午9:42
討論很精彩
于爭 下午9:45
@李可舟?關于S參數原始定義,建議仔細翻翻理論方面的著作
于爭 下午9:50
@李可舟? 你前面說的“ 如果不滿足匹配條件,那么此時測得的反射波和入射波的比值就不是S參數 ”,我覺得應該再仔細斟酌下。
于爭 下午9:58
反射波和入射波比值這種說法本身就是模糊的!用P還是用V衡量前提條件是不一樣的。用P衡量對端口阻抗沒有限制,用V衡量要求各端口阻抗必須一致,可能這就是你說的匹配吧。所以如果單從S參數本身來看問題,端口阻抗無所謂。但實際使用S參數時大多數情況下都是從V的角度用的,所以才有阻抗問題。
于爭 下午10:02
用電壓替代功率表征S參數要求Port阻抗一致
于爭 下午10:10
這個話題大有文章可做,比如怎樣使用S參數,怎樣測試?實際設備上各端口阻抗不可能一致,盡管差別不大,但確實能明顯感覺得到。感興趣的可以試試單個差分對測試,先測一次,然后再把一個端口兩根線纜對掉測一次,對比一下就能發現不同
清松 下午10:11
于博真耐心[強]
夢覺仁艾 下午10:11
博士厲害
于爭 下午10:12
@清松?只是感興趣
清松 下午10:12
@于爭?[強]
珍紡紡 下午10:14
@于爭?[強]
于爭 下午10:17
有一個端口阻抗對結果有嚴重影響的場景,感興趣的可以測測再仔細研究下: 一驅多分支結構S參數初看很怪異,仔細分析后會感覺就該這么怪
Dennis Ding 下午10:19
S參數計算是基于端口阻抗的,要求端口匹配是為了消除其他端口反射的影響。而并不是說s參數必須要求是匹配。如果得到一個端口阻抗下的s參數,就很容易得到不同端口阻抗下的s參數(公式互換)
莊哲民 下午10:20
@于爭?,一驅多的S參數有什么方法評價嗎?這種的S參數曲線不像一驅一的能方便地用插損回損分析
Dennis Ding 下午10:20
對于傳輸線來說,端口匹配下的s參數比較平緩,如果阻抗不匹配s參數有明顯的波動
于爭 下午10:22
@Dennis Ding?是這樣的!但不是很贊同用匹配這個詞,很容易誤解。
Dennis Ding 下午10:22
不是匹配是什么?
于爭 下午10:24
@Dennis Ding?還不如說端口阻抗一致。如果說匹配那誰和誰匹配?很可能被理解成和DUT嚴格匹配
Dennis Ding 下午10:25
大家參考一下微波工程這本書吧
Dennis Ding 下午10:26
電磁場傳播過程中界面的匹配
于爭 下午10:27
@莊哲民?確實,但也能看出點重要信息
李可舟 下午10:29
匹配是應該要說的
莊哲民 下午10:30
@于爭?,你都是怎么分析一驅多S參數的呢?謝謝
李可舟 下午10:30
我覺得有句話確實需要工程師搞清楚
于爭 下午10:31
S參數問題,理論和工程兩個方面都要關注
李可舟 下午10:31
就是這個匹配到底是和誰匹配,不是被測器件匹配,而是說端接負載必須和饋電線纜匹配
李可舟 下午10:32
如果這個匹配條件不滿足,并且無法被校準修正的話,那么測試得到的結果就不是S參數了
于爭 下午10:32
@莊哲民?沒有套路,看遇到的什么問題,需要什么信息
李可舟 下午10:33
@于爭?端口阻抗一致是指各個端口的都應該歸一化到同一個阻抗的意思么?
Dennis Ding 下午10:34
不是s參數是什么,s參數測的是出射端口個入射端口的比。沒有什么匹配的前提條件,匹配的要求是為了消除各端口的影響,單純的老網絡的效應
于爭 下午10:35
@李可舟?一致了,歸一化到什么值只是數學計算
Dennis Ding 下午10:37
我記得我們翻譯的數字信號完整性講s參數那一章,講了s參數歸一化的問題
Dennis Ding 下午10:37
可以參考一下
李可舟 下午10:39
@Dennis Ding?我不確定有沒有文章定義過在不匹配狀態下測試得到的反射波和入射波的比值的正式名稱,我可能會稱它為某種反射系數,但肯定不是S參數
Dennis Ding 下午10:39
匹配下測s參數是對的
于爭 下午10:39
@李可舟?你困惑的來源是一個純理論問題,多看幾本書,對比著看,別只看一兩本,看多了理解就深了
于爭 下午10:41
睡了
李可舟 下午10:41
我現在沒有困惑,但是過去為這個問題困惑過。我昨天出這個問題,主要是想讓大家通過對S參數定義中匹配的討論,加深對基本概念的理解。
Dennis Ding 下午10:42
@李可舟?多端口的端口阻抗本身也是網絡的一部分
李可舟 下午10:46
我目前發現吳楓的解釋是最正確的,但是其他的一些解釋,很多都是說S參數的參考阻抗無論如何變換,仍然是相互等價的這個上面。但這個和我想討論的并不是一個問題
李可舟 下午10:50
當然也很可能是我問題描述不夠清晰所致
Dennis Ding 下午11:05
沒必要扣字眼,你知道自己要看什么就可以了
Dennis Ding 下午11:06
你說的這些在實際使用,都是完全正確的
Dennis Ding 下午11:10
能到你這個程度,已經相當不容易了@李可舟
李可舟 下午11:17
這個S參數的問題我感覺可以告一段落了。我這邊還有別的問題,都是目前已有書本上講得容易讓人困惑不清的。過兩天再來拋磚引玉,大家共同提高[微笑]
————— 2016-1-24 —————
Di 上午6:50
感覺你對s參數沒理解透
李可舟 上午10:31
[流汗]
Colin 上午11:13
Colin 上午11:18
s參數的求解有功率和電壓兩種。不匹配狀態下你稱之為反射系數,這本身就是不對的。不知道你是否有微波背景,反射系數和s參數不是一回事,做過微波射頻的應該都知道信號回路分析法,有入射反射系數和負載反射系數以及s參數的分析。若你堅持不匹配就不是s參數,那做射頻的小伙伴,做PA匹配的小伙伴這些年都是在無用功了
于爭 上午11:23
于爭 上午11:25
他說的應該是這個知識點。如果說的真是這個,那沒錯。
BenjaminPu 上午11:27
嗯 贊同 真正意義上的s參數是指阻抗匹配狀態下的 這也是真正的散射參數 不匹配的狀態下 測出來的 需要做renormalization 就是考慮實際阻抗和匹配阻抗的關系 推導正確的散射參數
楊小剛[表情] 上午11:29
@于爭?這是那本書
lxk 上午11:29
s參數匹配指測試端口匹配。負載不是測試端口,不管匹配不匹配
于爭 上午11:29
a2=0,沒有入射波,但阻抗要在
鴟鴺子皮 上午11:33
向大神們請教一個問題:電源信號走線在經過tvs后形成近乎0度銳角,影響大不大?熱和emi當年會不會有明顯惡化趨勢?
lxk 上午11:33
傳輸線上電壓電流都是由場人為定義出來的,不同方法可以定義出不同電壓電流。大家要統一所以歸一化。個人理解
Di 上午11:41
Di 上午11:43
@于爭? 博士,我對李的理解是:當cable和傳輸線阻抗不一致時,對dut的s測量不準確
吳楓 上午11:44
希望大家可以理解到@李可舟?的問題的關鍵點。我理解他希望討論的就是@于爭?貼圖提到的s參數定義中的matched什么意思。到底是mtached誰。
Di 上午11:46
nice,看來需要李詳細的解釋一下了[微笑]@李可舟
李可舟 上午11:51
@Di?是你說的意思,匹配是指和你圖中的cable的特征阻抗需要和端接負載匹配。提這個問題是因為我相信很多時候大家要么沒注意有匹配的前提,要么以為匹配是指端接負載和dut的阻抗匹配。
lxk 上午11:53
相同傳輸線 a定義他是50歐姆,b定義他是1歐姆。b用1歐姆系統去測,再renormalize到50,和a用50系統測 兩者曲線一致 不知大家說的是不是這個 個人理解
Colin 上午11:56
這個匹配的意義就是實際的測試校準,我們常說的匹配是阻抗匹配。至于基本的s參數,歸一化后就是兩個端口已經分別匹配了。我是這么理解的。
Di 上午11:57
Colin 上午11:58
所以,只要是歸一化了s參數是能夠直接用于對應的測試系統的,不必擔心匹配的問題。
Di 上午11:59
假設cable和dut阻抗不一致,入射波a在界面處會有反射b,傳輸到dut為c
Colin 上午11:59
至于cable和dut的差距,就必須用統一的歸一化
Colin 上午11:59
沒有統一就要先分別反歸一化再統一歸一化做級聯
Di 下午12:02
Di 下午12:03
由入射到dut的c測量dut的s參數
Di 下午12:04
s參數不管a和b,只考慮cdef。
lxk 下午12:05
兩個不同阻抗定義下的s參數做級聯就要先歸一化統一定義
于爭 下午12:16
@吳楓?關鍵問題就在這。理論上定義S參數的時候把端口外的部分理想化處理了,所以如果不考慮實際設備的非理想情況純粹從理論上講,match這個詞用的是否合理?
于爭 下午12:20
不論怎么稱呼這個load,它必須在那,這是S參數定義的內容。但我對match這個詞有些質疑。
lxk 下午12:27
測試中不可能完全匹配,和理論有差別,只能歸到誤差中,大家也只能相信儀器以此為標準,不知是否如此理解
lxk 下午12:30
于爭 下午12:32
@xk?這個圖必須贊,場和路不能混
李可舟 下午12:34
@Di?你的圖畫得不錯,能夠讓大家討論的時候有一個直觀參照。就這個圖我想表達的觀點和你不一致,即S參數就是只管你圖里面的a和b,而不管cdef
lxk 下午12:35
@于爭?[抱拳]
李可舟 下午12:37
@Di?S參數中的波都是定義在端口外,即測試線纜里面的。dut那邊,由于可以是任意器件,不一定是傳輸線,而可能是一個電阻.因此根本就無法保證能夠定義出cdef這4個波來。
李可舟 下午12:38
@Di?因此S參數所管的的也不是cdef
lxk 下午12:38
贊同,負責不是測試端口 不需要考慮匹配不匹配
BenjaminPu 下午12:42
剛才幾位朋友都提到了匹配到底是指哪的匹配 可以考慮VNA和傳輸線是一個stage 傳輸線和dut輸入阻抗是一個級 前一級 一般都是匹配 第二級 是測量的匹配 所謂的準確測量的s參數 就是指發生在測量這一級的阻抗匹配決定的 然后下一級發生在輸入阻抗和dut本身的匹配狀態 是在dut內部這一級 輸入阻抗的話 應該是受到dut特性阻抗影響的
李可舟 下午12:55
@韓國-三星半導體-Benjamin?你說得很不錯,把幾種匹配都分類很清楚了。尤其你說得vna和傳輸線那一級的匹配,正是想討論的。我覺得可能是因為現在的儀器和仿真軟件在制作的時候已經確保了這一級的匹配,所以大家才很少去關注
Di 下午1:17
nice,終于統一問題了
Di 下午1:19
如果是由ab來定義,儀器測出來的是cable+dut的數據,至于如何得到dut的s參數,那就需要儀器去做處理。
Di 下午1:20
如果是cdef來定義,那不管儀器采用的是什么方法,得到的就只是dut的s參數
Di 下午1:21
但是,理論做定義時,是不能去考慮實際如何做測量的
于爭 下午2:02
線纜和連接的頭子對測試結果影響挺大的。那種很粗很硬的線纜測出來的結果一致性很好,有些線纜細軟,動一動就能看到測試結果的變化。頭子影響更大。
于爭 下午2:06
有一次我想測一個直通件的參數,這個東西很小,測試結果連無源性都不滿足。仔細校準兩次都這樣
Di 下午2:08
如果線纜對結果影響很大,就說明s參數是按照cdef來計算的。儀器需要根據測量到的ab來推算dut的參數
于爭 下午2:17
@Di?不是很大,是有點小變化,能觀察到,對干活影響不大
于爭 下午2:18
@Di?我說的大是相對的,用習慣了好線纜,換差一點的能感覺到不一樣
李可舟 下午2:22
李可舟 下午2:31
@Di?我也畫了個圖,這樣討論問題方便些。這個圖想說明的意思,是vna測得并不是ab,而是A和B,如果線纜足夠理想,那么ab和AB之間只有線纜延遲導致的相位變化。但是由于線纜不夠理想,其損耗和特征阻抗是頻率的函數,所以儀器必須通過校準這項技術來從測得的AB中來計算ab,也就是說儀器最后需要知道的是ab。ab本身表示的就已經只是dut的特性,并不存在儀器需要通過ab來計算cdef的說法,而且最關鍵的一點是cdef這4個波本來就是無法定義的,不會有任何一本權威的書會提到存在cdef這4個位于dut內的波
于爭 下午2:49
@Di?DUT是黑匣子,用端口處表現出來的行為特征來描述它。里面怎么回事無法預知,c是不是存在不一定,即使存在也是黑匣子里的事。S參數是用ab定義的。
于爭 下午2:54
@Di? ab才是端口處外在表現
lxk 下午3:05
感覺可以這樣理解 每個測試端口都連了一段無限短,與儀器/仿真端口阻抗一樣的理想傳輸線。這樣就不用糾結s參數端口匹配的要求了
Di 下午3:05
好,我去翻翻書。
BenjaminPu 下午3:08
如果誤差可以確定發生在線纜或者探針上 開始可以通過calibration 校正 后期可以通過de embedding提高精度
Di 下午3:21
@于爭?@李可舟?是我搞錯了。a是入射波,b是反射波,c是傳輸波,s是由入射和反射來定義的,也就是a,b
Di 下午3:22
@李可舟@于爭??[強]
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